在全球人工智能与新能源产业迅猛发展的浪潮下，作为支撑算力与能源转换核心的“电力心脏”——高功率电源，正迎来前所未有的升级需求。而在这场技术变革中，一种被称为“下一代半导体材料”的氮化镓(GaN)被寄予厚望。然而，受限于器件稳定性差、控制难度高等技术瓶颈，GaN长期徘徊在中低功率领域，难以迈入工业级高功率应用的“最后一公里”。

　　如今，这一困局被我县的一家年轻科技企业——湖州镓奥科技有限公司打破。

　　“这不是灵光一现的突破，而是四年如一日的技术攻坚。”镓奥科技负责人坦言。自2021年起，团队聚焦GaN在高功率场景下的可靠性难题，围绕“栅极驱动”这一核心环节，反复优化电路设计、抑制寄生效应、精准调控电压，并完成了数十轮严苛测试。最终，成功研制出国内首台5000W至7000W级别的“负压直驱”氮化镓封装样机。

　　所谓“负压直驱”，通俗来说，就是为高速运行的GaN器件装上一套“智能缰绳”。传统GaN在高功率下容易“失控”，而这项技术通过精确施加负电压，有效提升开关稳定性和整体可靠性，让这匹“烈马”既能跑得快，也能刹得住。

　　凭借这一突破性成果，镓奥科技在第八届莫干山全球高层次人才创新创业大赛中脱颖而出，斩获冠军。项目落地莫干山高新区后，迅速获得数千万元融资和政策支持，加速从实验室走向产业化。

　　“我们不只是做一颗芯片，更是在打造一个国产GaN生态。”公司负责人表示。目前，镓奥科技已掌握中大功率氮化镓芯片及模组的全链条自主知识产权，核心技术实现“国产替代+国产设计”双轮驱动，产品精准切入人工智能服务器电源、新能源汽车充电、光伏逆变器等高增长赛道。

　　业内专家指出，在全球第三代半导体竞争日趋激烈的背景下，镓奥科技的突破不仅填补了我国在千瓦级GaN应用领域的空白，更标志着中国在高端功率半导体领域迈出关键一步。未来，随着AI算力需求激增与绿色能源转型提速，高可靠、高效率的GaN器件将成为新基建的“隐形基石”。

　　眼下，镓奥科技正加大研发投入，计划推出更高功率、更小体积的新一代产品，持续拓展应用场景。“我们的目标，是让‘中国造’的氮化镓，成为全球绿色智能时代的标准配置。”负责人坚定地说。